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普通中走絲-傳感器的測試精度-仁光智能

欄目:中走絲線切割資訊 發布時間:2020-10-23 作者: 仁光智能小陳 來源: 網絡 瀏覽量: 1434
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普通中走絲,馬來西亞國民大學提出了一種基于標準CMOS工藝制造超薄薄膜的方法[11-12]。他們利用SiO2層作為犧牲層來形成絕對壓力空腔,氧化層的釋放需要利用通道孔讓腐蝕劑BOE進入氧化層對其進行腐蝕

普通中走絲馬來西亞國民大學提出了一種基于標準CMOS工藝制造超薄薄膜的方法[11-12]。他們利用SiO2層作為犧牲層來形成絕對壓力空腔,氧化層的釋放需要利用通道孔讓腐蝕劑BOE進入氧化層對其進行腐蝕。

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普通中走絲然后采用LPCVD淀積氮化硅來密封通道孔,從而形成厚度僅為2 μm的傳感器薄膜。這種加工技術的優點在于傳感器可以單片集成,可以使用集成電路(IC)工藝進行制備。

因此,傳感器可以和讀取電路、通信系統等集成。同時,淀積形成的僅為0.3 μm的空腔高度可以使傳感器獲得很大的電容式變化值。

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普通中走絲該傳感器的測壓范圍在10 mmHg~75 mmHg(13~100 kPa)之間,很適宜測量人體內的小量程壓力,可用于青光眼的治療。但由于LPCVD的真空度不高,所以絕壓空腔實際上并沒有達到真空等級,這會削弱傳感器的測試精度。美國ISSYS公司在MEMS器件真空封裝方面很出色。該公司致力于高真空度的空腔制作技術,制作的空腔真空度小于10-4 Torr。

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