中走絲割鋁，縱觀國內外關于小量程電容式壓力傳感器的報道，傳感器的空腔間隙和可動極板厚度都很小；為了滿足小量程壓力測量對靈敏度和線性度的要求，在減薄壓敏極板厚度的同時會相應縮小芯片尺寸。相關研究集中在傳感器制備工藝的改良、傳感器結構的創新以及測量電路的優化三個方面。

中走絲割鋁，傳感器工藝改良，工藝上控制超薄膜片的內應力很難。為了解決這個問題，多晶硅被選擇用來作為小量程MEMS電容式壓力傳感器的可動極板材料。選用多晶硅有如下優點：

典型的多晶硅是通過LPCVD(低壓化學氣相淀積)形成的，淀積厚度可以控制得很小，很容易形成超薄的可動極板；

中走絲割鋁，經過退火處理，多晶硅可以形成低應力的薄膜，削弱可動極板內應力對小量程測壓的影響；摻雜之后的多晶硅導電，使壓敏極板有固定電勢，無需引入額外的電極。此外，薄膜淀積工藝與犧牲層釋放工藝也被廣泛用來制作間隙很小的空腔。在此基礎之上，人們不斷摸索，以求工藝的合理與簡化。